DDR SDRAM是具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM，其數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)時鐘頻率的兩倍，由于速度增加，其傳輸性能優(yōu)于傳統(tǒng)的SDRAM。DDR SDRAM 在系統(tǒng)時鐘的上升沿和下降沿都可以進行數(shù)據(jù)傳輸。 SDRAM 在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘上升期進行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR則是一個時鐘周期內(nèi)可傳輸兩次數(shù)據(jù)，也就是在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。下面英尚微電子介紹DDR SDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程。
 
（1） DDR SDRAM
 
DDR SDRAM雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器，它是SDR SDRAM的升級版，DDR SDRAM在時鐘周期的上升沿與下降沿各傳輸一次信號，使得它的數(shù)據(jù)傳輸速度是 SDR SDRAM 的兩倍，而且這樣做還不會增加功耗，至于定址與控制信號與SDR SDRAM相同，僅在上升沿傳輸，這是對當時內(nèi)存控制器的兼容性與性能做的折中。
 
DDR SDRAM采用184pin的DIMM插槽，防呆缺口從SDR SDRAM時的兩個變成一個，常見工作電壓2．5V，初代DDR內(nèi)存的頻率是200MHz，隨后慢慢的誕生了DDR-266、DDR-333和那個時代主流的DDR-400，至于那些運行在500MHz，600MHz、700MHz的都算是超頻條了，DDR內(nèi)存剛出來的時候只有單通道，后來出現(xiàn)了支持雙通芯片組，讓內(nèi)存的帶寬直接翻倍，兩根DDR－400內(nèi)存組成雙通道的話基本上可以滿足FBS 800MHz的奔騰4處理器，容量則是從128MB到1GB。

 
（2） DDR2 SDRAM DDR2/DDR II SDRAM是由JEDEC進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，?DDR2SDRAM 內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。
 
DDR2的標準電壓下降至1.8V，這使得它較上代產(chǎn)品更為節(jié)能，DDR2的頻率從400MHz到1200MHz，當時的主流的是DDR2-800，更高頻率其實都是超頻條，容量從256MB起步大4GB，不過4GB的DDR2是很少的，在DDR2時代的末期大多是單條2GB的容量。
 
（3） DDR3 SDRAM DDR3提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM的后繼者（增加至八倍），也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。

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